我國擬將第三代半導體發展，放入我國"十四五"規劃中，大力研究發展第三代半導體，做到技術與生產獨立，自給自足，不再受制于外部限制。我國計劃在2021到2025年的五年之內，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面對第三代半導體發展提供廣泛支持，并投入約1.4萬億美元到無線網絡、
人工智能等技術領域。
半導體指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體行業經過近六十年的發展，目前已經發展形成了三代半導體材料，第一代半導體材料主要是指硅、鍺元素等單質半導體材料；第二代半導體材料主要是指化合物半導體材料，如砷化鎵、銻化銦；第三代半導體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為四大代表，是 5G 時代的主要材料。
第三代半導體材料無論在軍事領域還是民用都有廣泛的用途，國家戰略新興產業政策中多次提到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體器件，寫入"十四五"規劃也是早有跡象。第三代半導體產業戰略意義非凡，但國內該產業仍處起步階段，在研發、生產方面明顯落后于美日歐，隨著國家將其納入"十四五"規劃，政策利好必將引爆產業投資熱潮。
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